行政单位门户网站建设规定,百度快照功能,没有固定ip做网站,电商网站建设会计分录三极管与mos管的区分与应用 这部分知识每次用都要查,隔一段时间就忘记了.忍无可忍,再此写下来,作为之后然后查找的笔记 这里先推荐几篇我查阅到的笔记, 三极管和MOS管驱动电路的正确用法 https://blog.csdn.net/qq_21794157/article/details/122736035 三极管和MOS管驱动电路的正确用法 https://blog.csdn.net/qq_21794157/article/details/122736035 PNP与NPN三极管开关特性 https://zhuanlan.zhihu.com/p/143366794 插曲,不知道为啥Multisim老是仿真失败,试了好久没成功,最后重开新建文件才顺利.所以仿真也不是很好使. 一、符号和标识
1.NPN(S8050) NPN,即P指向N.箭头朝外指.实物封装的c极是单独一侧.将c极(输入)朝右边,那么左上就是b极(控制),左下就是e极(输出)
2.N沟道(2N7002) N沟道和NPN的箭头符号相反;即N指向P,箭头朝内指.实物封装的d极是单独一侧.将d极(输入)朝右边,那么左上就是g极(控制),左下就是s极(输出)(寄生二极管和箭头方向一致)
3.PNP(MMBT4403L) PNP,即P指向N.箭头朝内指.实物封装的c极是单独一侧.将c极(输出)朝右边,那么左上就是b极(控制),左下就是e极(输入)
4.P沟道(AO3401A) P沟道和PNP的箭头符号相反;即N指向P,箭头朝外指.实物封装的d极是单独一侧.将d极(输出)朝右边,那么左上就是g极(控制),左下就是s极(输入)(寄生二极管和箭头方向一致)
二、电路特性
1.NPN 电流顺着三极管内的箭头流动,Ie Ib Ic,18.8mA 0.165mA 18.6mA;电源经过负载接在c极,控制接在b极,地接在c极;经过仿真发现:电流Ie和Ib正相关;也就是说,如果减小限流电阻R1,那负载电流就会飙升.同时二者的关系总是保持Ie远大于Ib;c极是接地GND,如果接了限流电阻,负载电流就会严重不足,如果要调整负载电流,应该调整控制端Ib的限流电阻.因为这同时也是减小控制端的输出电流. 引用大佬的笔记解释: 1NPN型三极管适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压此处为GND0.7V即发射结正偏VBE为正NPN型三极管即可开始导通。基极用高电平驱动NPN型三极管导通低电平时不导通基极除限流电阻外更优的设计是接下拉电阻10-20k到GND。优点是①使基极控制电平由高变低时基极能够更快被拉低NPN型三极管能够更快更可靠地截止②系统刚上电时基极是确定的低电平。 2对NPN三极管来说最优的设计是负载接在集电极和VCC之间。不够周到的设计是负载接在射极和GND之间。 2.N沟道 电流逆着mos管内的箭头流动,Is Ig Id,64.3mA 0mA 64.3mA;电源经过负载接在D极,控制接在G极,地接在S极;对比NPN,N沟道的控制电流Ig更加小,可以忽略不计的程度;同时也保留:电流Id和Ig正相关;也就是说,如果减小限流电阻R1,那负载电流就会飙升.同时二者的关系总是保持Id远远远远大于Ig,s极是接地GND,如果接了限流电阻,负载电流就会严重不足.这点和NPN一致;控制电流太小,忽略不计. 引用大佬的笔记解释: 1NMOS适合源极接GND漏极接负载到VCC的情况。只要栅极电压高于源极电压此处为GND超过Vth即Vgs超过VthNMOS即可开始导通。栅极用高电平驱动NMOS导通低电平时不导通栅极除限流电阻外更优的设计是接下拉电阻10-20k到GND使栅极控制电平由高变低时栅极能够更快被拉低NMOS能够更快更可靠地截止。 2对NMOS来说最优的设计是负载接在漏极和VCC之间。不够周到的设计是负载接在源极和GND之间。 3.PNP 电流顺着三极管内的箭头流动,Ie Ib Ic,16.6mA 0.353mA 16.2mA;电源接在e极,控制接在b极,地经过负载接在c极;经过仿真发现:电流Ie和Ib正相关;也就是说,如果减小限流电阻R1,那负载电流就会飙升.同时二者的关系总是保持Ie远大于Ib,e极是接电源,如果接了限流电阻,负载电流就会严重不足,如果要调整负载电流,应该调整控制端Ib的限流电阻.因为这同时也是减小控制端的输出电流. 引用大佬的笔记解释: 1PNP型三极管适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。只要基极电压低于射极电压此处为VCC0.7V即发射结反偏VBE为负PNP型三极管即可开始导通。基极用低电平驱动PNP型三极管导通高电平时不导通基极除限流电阻外更优的设计是接上拉电阻10-20k到VCC优点是①使基极控制电平由低变高时基极能够更快被拉高PNP型三极管能够更快更可靠地截止②系统刚上电时基极是确定的高电平。 2对PNP三极管来说最优的设计是负载接在集电极和GND之间。不够周到的设计是负载接在发射极和VCC之间。这样就可以避免负载的变化被耦合到控制端。从电流的方向可以明显看出。 4.P沟道 电流逆着mos管内的箭头流动,Is Ig Id,1.32A 0mA 1.32A;电源接在D极,控制接在G极,地经过负载接在S极;对比PNP,P沟道的控制电流Ig更加小,可以忽略不计的程度;同时也保留:电流Id和Ig正相关;也就是说,如果减小限流电阻R1,那负载电流就会飙升.同时二者的关系总是保持Id远远远远大于Ig,d极是接电源,如果接了限流电阻,负载电流就会严重不足.这点和PNP一致;控制电流太小,忽略不计. 引用大佬的笔记解释: 1PMOS适合源极接VCC漏极接负载到GND的情况。只要栅极电压低于源极电压此处为VCC超过Vth即Vgs超过-VthPMOS即可开始导通。栅极用低电平驱动PMOS导通高电平时不导通栅极除限流电阻外更优的设计是接上拉电阻10-20k到VCC使栅极控制电平由低变高时栅极能够更快被拉高PMOS能够更快更可靠地截止。 2对PMOS来说最优的设计是负载接在漏极和GND之间。不够周到的设计是负载接在源极和VCC之间。 三、总结
三极管和mos管,特性接近;电压导通,电流控制;以三极管为例: 电流顺着箭头,箭头始末两端压差大于0.7V时,就可以导通;箭头是由P指向N;mos管和三极管相反;电流逆着箭头; 有点绕,如果发现写错了请评论区指出,我看到后会立刻更正;.(不自信 ) 最后一张大合照,不多说,
