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半导体的导电特性
PN结及其单向导电性
二极管
稳压二极管
双极型晶体管 半导体的导电特性
本征半导体#xff1a;完全纯净的、晶格完整的半导体
载流子#xff1a;自由电子和空穴
温度愈高#xff0c;载流子数目愈多#xff0c;导电性能就愈好
型半导体完全纯净的、晶格完整的半导体
载流子自由电子和空穴
温度愈高载流子数目愈多导电性能就愈好
型半导体在硅或锗晶体中插入磷(5)自由电子增加
型半导体在硅或锗晶体中插入硼(3)空穴增加
PN结及其单向导电性
结在型型半导体的局部再插入浓度较大的硼(3)磷(5)杂质使其变成型型半导体
正向偏置电源正极接区负极接区形成较大的正向电流结呈现低电阻处于导通状态
反向偏置电源正极接区负极接区形成反向电流结呈现高电阻处于截止状态
二极管 死区(开启)电压正向压降硅管锗管 在二极管加上反向电压形成很小的反向电流 反向电流随温度的上升增长很快 在反向电压不超过某一范围时反向电流的大小基本恒定 击穿外加反向电压过高反向电流突然增大二极管失去单向导电性不可恢复
稳压二极管 稳压二极管工作于反向击穿区 当反向电压增高到击穿电压时反向电流突然剧增稳压二极管反向击穿 在反向电流不超过允许范围内稳压二极管发生击穿后可以恢复正常
双极型晶体管 信号放大发射结正向偏置 集电结反向偏置
电流放大系数
